最近５年間の主たる研究業績

1.学術論文
1-1.　国際学術論文誌

・K. Koyama, N. Yamaguchi, D. Hironiwa, H. Suzuki, K. Ohdaira, H. Matsumura,“Simple fabrication of back contact hetero-junction solar cells by plasma ion-implantation” Jpn. J. Appl. Phys. 56, 08MB21-1–4 (2017), (DOI:https://doi.org/10.7567/JJAP.56.08MB21)

・K. Ohdaira, J. Seto, and H. Matsumura,"Catalytic phosphorus and boron doping to amorphous silicon films" Jpn. J. Appl. Phys. 56, 08MB06-1–5 (2017), (DOI:https://doi.org/10.7567/JJAP.56.08MB06)

・Cong Thanh Nguyen, Koichi Koyama, Koichi Higashimine, Shigeki Terashima, Chikao Okamoto, Shuichiro Sugiyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Novel chemical cleaning of textured crystalline silicon for realizing surface recombination velocity <0.2cm/s using passivation catalytic CVD SiNx/amorphous silicon stacked layers” Japanese Journal of Applied Physics 56, 056502 (2017), (DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP.56.056502)

・Keisuke Ohdaira, Takafumi Oikawa, Koichi Higashimine, Hideki Matsumura,“Suppression of the epitaxial growth of Si films in Si heterojunction solar cells by the formation of ultra-thin oxide layers”, Current Applied Physics, vol.16, (2016), pp.1026-1029.(DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2016.06.001)

・Junichi Seto, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Catalytic doping of phosphorus and boron atoms on hydrogenated amorphous silicon films”, Jpn. J. Appl. Phys., 55, 04ES05 (2016),(DOI:http://doi.org/ 10.7567/JJAP.55.04ES05)

・Le The Anh, Nguyen Tien Cuong, Pham Tien Lam, Muruganathan Manoharan, Hiroshi Mizuta, Hideki Matsumura, Nobuo Otsuka, and Dam Hieu Chi, “First-principles study of hydrogen-enhanced phosphorus diffusion in silicon”,　J. Appl. Phys., 119, 045703 (2016), (DOI: 10.1063/1.4940738)

・T. Oikawa, K. Ohdaira, K. Higashimine, and H. Matsumura, "Application of crystalline silicon surface oxidation to silicon heterojunction solar cells", Current Appl. Phys. 15, 1168-1172 (2015). (DOI:10.1016/j.cap.2015.07.004).

・S. Tsuzaki, K. Ohdaira, T. Oikawa, K. Koyama, and H. Matsumura, "Improvement in passivation quality and open-circuit voltage in silicon heterojunction solar cells by the catalytic doping of phosphorus atoms", Jpn. J. Appl. Phys. 54, 072301-1-5 (2015), (DOI: http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.54.072301)

・H. Matsumura, K. Higashimine, K. koyama, and K. Ohdaira, “Comparison of Crystalline-Silicon/Amorphous-Silicon Interface Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and Catalytic Chemical Vapor Deposition”, J. Vac. Sci. Tech. B, vol.33, [no.3], pp.031201-1-4, (2015). (http://dx.doi.org/10.1116/1.4915494)

・T.C. Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, “Effect of hydrogen on passivation quality of SiNx/Si-rich SiNx stacked layers deposited by catalytic chemical vapor deposition on c-Si wafers”, Thin Solid Films, vol.575, pp.60-63, (2015). (DOI:10.1016/j.tsf.2014.10.016)

・T. Ohta, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, “Low temperature boron doping into crystalline silicon by boron-containing species generated in Cat-CVD apparatus”, Thin Solid Films, vol.575, pp.92-95, (2015). (DOI:10.1016/j.tsf. 2014.10.017)

・H. Matsumura, T. Hayakawa, T. Ohta, Y. Nakashima, M. Miyamoto, Trinh Cham Thi, K. Koyama, and K. Ohdaira, “Cat-doping: Novel method for phosphorus and boron shallow doping in crystalline silicon at 80 °C”, J. Appl. Phys., vol. 116, [no.11], pp. 114502 -1−10, (2014). (DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4895635)

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, “Drastic reduction in the surface recombination velocity of crystalline silicon passivated with Cat-CVD SiNx films by introducing phosphorous Cat-doped layer”, J. Appl. Phys., vol. 116, [no.4], pp. 044510 -1−7, (2014) (DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4891237)

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, “Passivation Quality of A Stoichiometric SiNx Single Passivation Layer on Crystalline Silicon Prepared by Cat-CVD and Successive Annealing”, Jpn. J. Appl. Phys., vol.53, pp.022301-1−5, (2014). (DOI: 10.7567/JJAP.53.022301)

・K. Higashimine, K. Koyama, K. Ohdaira, H. Matsumura, and N. Otsuka，“Scanning transmission electron microscope analysis of amorphous-Si insertion layers prepared by catalytic chemical vapor deposition, causing low surface recombination velocities on crystalline silicon wafers”、J. Vac. Sci. Technol. B，30，031208，(2012). (DOI: 10.1116/1.4706894)

・Trinh Cham Thi, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura、“Passivation Property of SiNx/a-Si and SiNx/Si-rich SiNx Stacked Layers on Crystalline Silicon”, Solar. Energy Materials and Solar. Cells，100，169, (2012). (DOI: 10.1016/j.solmat.2012.01.010)

・Taro Hayakawa, Yuki Nakashima, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Distribution of Phosphorus Atoms and Carrier Concentrations in Single-Crystal Silicon Doped by Catalytically Generated Phosphorous Radicals”, Jpn. J. Appl. Phys.，51，061301，(2012).　（DOI: 10.1143/JJAP.51.061301）

・Taro Hayakawa, Tatsunori Ohta, Yuki Nakashima, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Effect of Radical-Doped n+ Back Surface Field Layers on the Effective Minority Carrier Lifetimes of Crystalline Silicon with Amorphous Silicon Passivation Layers Deposited by Catalytic Chemical Vapor Deposition”, Jpn. J. Appl. Phys., 51, 101301, (2012). (DOI：10.1143/JJAP.51.　101301)

・K. Koyama, T. Goto, K. Ohdaira, and H. Matsumura，”Study on Light-Soaking Degradation and Damp Heat Tests for Cat-CVD SiNx/a-Si Stacked Passivation Films Realizing Extremely Low Surface Recombination Velocity“, Proc. 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, pp.2007-2009, (2012). (DOI不明)

・H. Matsumura, K. Katoh, K. Koyama, K. Ohdaira，”Surface Passivation on Crystalline Silicon with Low Optical Reflectivity and Low Surface Recombination Velocity”, Technical Digest of the 22nd International Photovoltaic Science and Engineering Conference, P-1-24, (2012). (電子版の発行、ページ番号なし。DOI不明。)

・T. Ohta, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura,” Low Temperature Doping of P and B atoms into Crystalline Si by Catalytically Generated Species from PH3 and B2H6”, Technical Digest of the 22nd International Photovoltaic Science and Engineering Conference，P-1-40, (2012), (電子版の発行、ページ番号なし。DOI不明。)

・Koichi Higashimine, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, and N. Otsuka，” Scanning transmission electron microscope analysis of amorphous-Si insertion layers prepared by catalytic chemical vapor deposition, causing low surface recombination velocities on crystalline silicon wafers”，J. Vac. Sci. Tech. B 30, 031208 (2012) (DOI: 10.1116/　1.4706894)

・ T. Hayakawa, Y. Nakashima, M. Miyamoto, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Low Temperature Phosphorus Doping in Silicon Using Catalytically Generated Radicals", Jpn. J. Appl. Phys. ,50, 121301, (2011), (DOI: 10.1143/JJAP. 50.121301).

・H. Matsumura, T. Hasegawa, S. Nishizaki, and K. Ohdaira, "Advantage of Plasma-Less Deposition in Cat-CVD to the Performance of Electronic Devices", Thin Solid Films, 519, 4568, (2011), (DOI: 10.1016/j.tsf.2011.01.302)

・K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Excellent passivation effect of Cat-CVD SiNx/i-a-Si stack films on Si substrates", Thin Solid Films, 519, 4473, (2011). (DOI: 10.1016/j.tsf.2011.01.294)

・T. Hayakawa, M. Miyamoto, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Extremely Low Recombination Velocity on Crystalline Silicon Surfaces Realized by Low-Temperature Impurity Doping in Cat-CVD Technology", Thin Solid Films, 519, 4466, (2011). (DOI: 10.1016/j.tsf.2011.01.301)

・N. T. T. Kieu, K. Ohdaira, T. Shimoda, and H. Matsumura, "Low Resistivity Metal Lines Formed by Functional Liquids and Successive Treatment of Catalytically Generated Hydrogen Atoms in Cat-CVD System", Thin Solid Films, 519, 4565, (2011). (DOI: 10.1016/j.tsf.2011.01.303)

・H. Matsumura, T. Hasegawa, S. Nishizaki, and K. Ohdaira, “Advantage of Plasma-Less Deposition in Cat-CVD to the Performance of Electronic Devices”, Thin Solid Films, 519, 4568 (2011) (DOI: 10.1016/j.tsf.2011.01.302)

・H. Matsumura, M. Miyamoto, K. Koyama, and K. Ohdaira、”Drastic Reduction in Surface Recombination Velocity of Crystalline Silicon by Surface Treatment Using Catalytically-Generated Radicals”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells，95，pp.797-799，(2011) (DOI:10.1016/j.solmat.2010.08.034)

１－２．国内学術論文誌

・松村英樹、小山晃一、(Hideki Matsumura and Koichi Koyama),　「（概説）触媒化学気相成長(Cat-CVD)法による高効率シリコン太陽電池の開発」, (“（Review Paper） High Efficiency Silicon Solar Cells Fabricated by Catalytic Chemical Vapor Deposition(Cat-CVD) Technology”), 　Journal of Vacuum Society Japan,　vol.55, no.12, (2012), pp.529-534.

２．国際会議発表
2-1.　一般発表

・Cong Thanh Nguyen,Koichi Koyama, Huynh Thi Cam Tu, Shigeki Terashima, Hideki Matsumura, "A Novel Procedure for Preparation of Sub-Micron Textures on Crystalline-Silicon Used for Solar Cells with Low-Reflectivity in Wide-Wavelength and Thickness Down to 50 μm", 2017 MRS Fall Meeting & Exhibit (Boston), Nov.26-Dec.1,2017

・H. T. C. Tu, K. Koyama, C. T. Nguyen, S. Terashima, T. Konishi, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Chemicaly resistive and high quality trasparent silicon nitride passivation layers for back-contact crystalline silicon solar cells",27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference（大津), Nov.12-17, 2017

・K. Konishi and K. Ohdaira, "ITO sputtering damage to silicon heterojunction solar cells with Cat-CVD a-Si films and its recovery", 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (Amsterdam)、Sept.25-29, 2017

・Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, "Low-cost fabrication of patterned electrodes in hetero-junction back-contact silicon solar cells by plasma ion-implantation", 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (Amsterdam)、Sept.25-29, 2017

・C.T. Nguyen, K. Koyama, T.C.T. Huynh, S.Terashima, H. Matsumura,"A Novel Procedure for Fabricating Sub-Micron Textures on Various Thick Crystalline-Silicon Solar Cells Down to 50μm with Low-Reflectivity in Wide Wavelength", 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (Amsterdam)、Sept.25-29, 2017

・Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, "Entrance of Low Cost Fabrication of Back-Contact Heterojunction Solar Cells by Using Plasma Ion Implantation", The 44th IEEE Photovoltaic Specialist Conference(Washington, D.C.), Jun.25-30,2017

・K. Ohdaira, J. Seto, and H. Matsumura, "Catalytic phosphorus and boron doping to amorphous silicon films", 26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26) (Marina Bay Sands, Singapore), Oct. 24-28, 2016.

・K. Koyama, N. Yamaguchi, M. Tanaka, H. Suzuki, K. Ohdaira, H. Matsumura, “Simple fabrication of back contact hetero-junction solar cells by plasma ion-implantation", ibid., Oct. 24-28, 2016.

・T.C.T. Huynh, S. Terashima, K. Koyama, C.T. Nguyen, H. Matsumura, “Combination of Plasma-Damage-Less Cat-CVD with a New Low Temperature Impurity Doping Method, Cat-Doping, for Improvement of Solar Cell Performance”, Euro-Photovoltaic Science and Technology Conference, Munich, Germany, June 21-25, 2016.

・Keisuke Ohdaira, Trinh Thi Cham, Koichi Koyama, Junichi Seto, Hideki Matsumura, "Cat-CVD Silicon Nitride Films and Catalytic Impurity Doping for Application to Silicon-Based Solar Cells", 9th International Conference on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition (Philadelphia, USA), Sept. 6-9, 2016.

・Cong Thanh Nguyen, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Huynh Thi Cam Tu, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, "Chemical Resistant Silicon Nitride Prepared by Cat-CVD for Solar Cell Application", ibid. (Philadelphia, USA), Sept. 6-9, 2016.

・Koichi Koyama, Noboru Yamaguchi, Miwa Tanaka, Hideo Suzuki, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, "Plasma Ion Implantation to Cat-CVD a-Si Passivation Films", ibid. (Philadelphia, USA), Sept. 6-9, 2016.

・Huynh Thi Cam Tu, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Cong Thanh Nguyen, Hideki Matsumura, “ Improving of passivation quality of Cat-CVD silicon-nitride single layer on crystalline-silicon : How can Cat-doping be applied?”, ibid., (Philadelphia, USA), Sept. 6-9, 2016.

・Cong T. Nguyen, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Chikao Okamoto, Shuichiro Sugiyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, "Cat-CVD Passivation Realizing Extremely Low Surface Recombination Velocity < 0.2 cm/s in Solar Cell Structure", Proc. IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Portland, USA, June, 2016.

・Cong T. Nguyen, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Chikao Okamoto, Shuichiro Sugiyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Effect of Chemical Cleaning before Deposition of Cat-CVD Passivation Films to Realize Extremely Low Surface Recombination Velocity on Textured Structure“, Material Research Society, Phoenix, USA, March,28-April, 1, 2016.

・ H. Matsumura, K. Higashimine, K. Koyama, K. Ohdaira, and S. Yokoyama, "Atomic Scale Study on Interface of Amorphous-Silicon/Crystalline-Silicon", 26th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS26) (Aachen, Germany), Sep. 13-18, (2015)

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Defect Termination on c-Si Surfaces by Hydrogen for Improvement in the Passivation Quality of Cat-CVD SiNx and SiNx/P Cat-Doped Layers", 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015) ,Niigata,　Japan,　Jun. 16-19, (2015)

・ K. Koyama, K. Higashimine, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Photo-Carrier Generation at a-Si Layer in SiNx/a-Si Stacked Passivation with Extremely Low Surface Recombination Velocity", 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-42) (Hyatt Regency, New Orleans), Jun. 14-19, (2015)

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Development of High-Quality Cat-CVD SiNx Passivation Layer for Crystalline Si Solar Cells", AIST Japan-India Symposium on Materials Science 2015 (JAIST)、Mar. 2-3 (2015)

・T. Oikawa, K. Ohdaira, K. Higashimine, and H. Matsumura, "Improvement in the Interface Quality of Cat-CVD a-Si/c-Si Heterojunction Solar Cells by the Formation of Ultra-Thin Oxide Layers", JAIST Japan-India Symposium on Materials Science 2015 (JAIST), Mar. 2-3 (2015)

・K. Koyama, Trinh Cham Thi, K. Higashimine, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Optical loss in Cat-CVD SiNx/a-Si passivation with low surface recombination velocity", The 8th Hot-Wire (Cat) Chemical Vapor Deposition (HWCVD-8) (Braunschweig, Germany), Oct. 13-16, (2014)

・T. Oikawa, K. Ohdaira, K. Higashimine, and H. Matsumura, "Improvement in Cat-CVD a-Si/c-Si heterojunction interface by the formation of an ultra-thin oxide layer on c-Si", The 8th Hot-Wire (Cat) Chemical Vapor Deposition (HWCVD-8) (Braunschweig, Germany), Oct. 13-16(2014)

・K. Koyama, Trinh Cham Thi, K. Higashimine, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Requirements for Achieving Extremely Low Surface Recombination Velocity and Negligible Optical Loss in Cat-CVD SiNx/a-Si Stacked Passivation", The 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Colorado Convention Center), Jun. 8-13, (2014)

・ T. Oikawa, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Application of c-Si surface oxidation to a-Si/c-Si heterojunction solar cells", The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) (Kyoto International Conference Center), Nov. 23-27 (2014)

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Passivation quality of Cat-CVD SiNx and SiNx/P Cat-doped layers on textured c-Si wafers", The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) (Kyoto International Conference Center), Nov. 23-27 (2014)

・H. Matsumura, S. Tsuzaki, Trinh Thi Cham, K. Koyama, and K. Ohdaira, "A Novel Low Temperature Doping Technology, Cat-Doping, and Its Application to Solar Cells", The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) (Kyoto International Conference Center), Nov. 23-27 (2014)

・Shogo Tsuzaki, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Application of Cat-CVD SiNx/a-Si Stacked Passivation Films to Crystalline Si Solar Cells”, 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Taipei, Taiwan, Oct. 28- Nov. 1 (2013)

・Trinh Cham Thi, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Extremely Low Surface Recombination Velocity of Crystalline Silicon Realized by Low Temperature Phosphorus Cat-Doping and Successive Deposition of Cat-CVD Silicon-Nitride Films”, 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Taipei, Taiwan, Oct. 28- Nov. 1 (2013)

・ Hideki Matsumura, Taro Hayakawa, Tatsunori Ohta, Koichi Koyama, and Keisuke Ohdaira, “Low Tｓemperature Phosphorus or Boron Doping into Crystalline Silicon by Catalytically Generated Species in Cat-CVD Systems”, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doshisha Univ., Japan, Sept. 16-20, 2013.

・Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Study on Light-Soaking Degradation for High Quality Cat-CVD SiNx/a-Si Stacked Layers Passivation” , 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doshisha Univ., Japan, Sept. 16-20, 2013.

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "High Passivation Quality on c-Si Surface Realized by a Stoichiometric SiNx Single Layer Prepared by Cat-CVD and Successive Annealing", 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doshisha Univ., Japan, Sept. 16-20, 2013.

・ T. Tsutsumi, H. Yanagihara, H. Amanai, S.Yoshida, Y. Watanabe, K. Ohdaira, and H. Matsumura，”Study of the Relationship Between a Gas-Barrier Property and the Membrane Stress of Films Made by a Cat-CVD Method”， 55th 2012 SVC Annual Technical Conference, Santa Clara, USA, April 28 – May 3, (2012).

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, “Surface passivation of c-Si wafers using Cat-CVD SiNx/Si-rich SiNx stacked films”，7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition (HWCVD7), Osaka, Japan, Oct. 8-12, 2012．

・T. Ohta, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura，“Low Temperature Boron Doping into Crystalline Silicon by Boron-Containing Species Generated in Cat-CVD Apparatus”， 7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition　（HWCVD7），Osaka, Japan, Oct. 8-12, (2012).

・ Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, “Surface passivation of c-Si wafers using Cat-CVD SiNx/Si-rich SiNx stacked films”，7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition (HWCVD7), Osaka, Japan, Oct. 8-12, 2012．

・T. Ohta, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura，“Low Temperature Boron Doping into Crystalline Silicon by Boron-Containing Species Generated in Cat-CVD Apparatus”， 7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition　（HWCVD7），Osaka, Japan, Oct. 8-12, (2012).

・T. Goto, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, ”Study on Stability of SiNx/a-Si Stacked Passivation Layer Realizing Extremely Low Surface Recombination Velocity”，22nd International Photovoltaic Science and Engineering Conference，Hangzhou, China，November 5-9, O-1-27, (2012).

・K. Koyama, K. Kato, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Why Can Cat-CVD SiNx/a-Si Stacked Layers Realize Extremely Low Surface Recombination Velocity on Crystalline Silicon?", Technical Digest of the 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)，3A-1O-04，Fukuoka, Japan, Nov.28－Dec.2, 2011.

・ T. Hayakawa, Y. Nakashima, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Low-Temperature Phosphorus Doping to Silicon Using Phosphorus-Related Radicals", Mater. Res. Soc. Symp., Boston, USA, Nov.28―Dec.2, 2011.

・K. Koyama, K. Kato, K. Ohdaira, and H. Matsumura, " Extremely Low Surface Recombination Velocities Realized by Cat-CVD SiNx/a-Si Staked Films on (100) and (111) Crystalline Si Substrates", The 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (26th EU PVSEC)，Hamburg, Germany， September 5-9, 2011.

　2-2.　招待講演

・Hideki Matsumua, Koichi Koyama, Cong T. Nguyen, Koichi Higashimine and Keisuke Ohdaira, "(Invited) Cat-CVD Technology Preparing Excellent Quality Passivation Films for High Efficiency Crystalline Silicon Solar Cells", 3rd International Conference on Advanced Energy Material, University of Surrey, Guildford, England, Sept. 11-13, 2017

・H. Matsumura, N. C. Thanh, K. Koyama, K. Higashimine, and K. Ohdaira, "(Invited) Cat-CVD : Damage-Free Thin-Film-Deposition Technique for Fabrication of High Efficiency Solar Cells", BIT's 6th Annual World Congress of Advanced Materials-2017 (Xi'an, China), Jun.14-16, 2017

・(Plenary) Hideki Matsumura, “ Recent Progress of Cat-CVD (HW-CVD) Research in Japan and Asian Countries”, The 9th Hot-Wire (Cat) Chemical Vapor Deposition (HWCVD-9), (Pittsburgh, USA), Sept.6-9, (2016).

・H. Matsumura, D. H. Chi, Trinh Cham Thi, S. Tsuzaki, K. Koyama, and K. Ohdaira, "Cat-doping: a novel low temperature impurity doping technology using hot catalyzing wires", The 8th Hot-Wire (Cat) Chemical Vapor Deposition (HWCVD-8) (Braunschweig, Germany), Oct. 13-16, (2014).

・H. Matsumura, and K. Koyama, “Device Quality Thin Films Prepared by Cat-CVD (Hot-Wire CVD) and Their Application to Solar Cells” 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Taipei, Taiwan, Oct. 28- Nov. 1 (2013)

・Hideki Matsumura, “New Development in Cat-CVD and Its Industrial Implementation”, 7th International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition (HWCVD7)，Business Innovation Center Osaka, Osaka, October 8-12, (2012).

３．国内学会、研究会発表
３－１．学会年次大会発表

・小西 武雄、小山 晃一、大平 圭介、松村 英樹 “a-Si上に金属を直接堆積したSiヘテロ接合太陽電池の検討”第78回応用物理学会秋季学術講演会（福岡国際会議場）2017年9月5–8日

・小山 晃一、山口 昇、廣庭 大輔、鈴木 英夫、大平 圭介、松村 英樹　"非質量分離型イオン注入によりp-a-Siをn-a-Siに反転させて作製したa-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池"　第78回応用物理学会秋季学術講演会（福岡国際会議場）2017年9月5–8日

・ 小山 晃一、山口 昇、田中 美和、鈴木 英夫、大平 圭介、松村 英樹　”非質量分離型イオン注入によるa-Si/c-Siヘテロ接合界面のP,H分布”、第64回応用物理学会春季学術講演会（パシフィコ横浜）、2017年3月14日-17日

・Cong Thanh Nguyen, Koichi Koyama, Huynh Thi Cam Tu, Shigeki Terashima, Hideki Matsumura, "Quick Formation of Sub-Micron Scale and Low Reflectivity Texture Structures for Crystalline-Silicon Solar Cells", 第64回応用物理学会春季学術講演会（パシフィコ横浜）、2017年3月14日-17日

・小山 晃一、山口 昇、田中 美和、鈴木 英夫、大平 圭介、松村 英樹、"イオン注入を用いた裏面電極ヘテロ接合太陽電池製造工程の簡略化 ―― a-Si/c-Siパシベーション電極の伝導型制御"、第77回応用物理学会秋季学術講演会 （朱鷺メッセ）、2016年9月13–16日

・ThiCamTu Huynh, Koichi Koyama, Cong Thanh Nguyen, Shigeki Terashima, Hideki Matsumura, "How Do We Apply Cat-doping to Improve Passivation Quality of SiNx Single Layer Prepared by Cat-CVD on Crystalline Silicon?", 16a-A24-11, 第77回応用物理学会秋季学術講演会（朱鷺メッセ）, 2016年9月13–16日

・ Huynh Thi Cam Tu, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, and Hideki Matsumura,“Low Temperature Cat-Doping of Phosphorous　Atoms into Crystalline Silicon through Ultrathin SiO2 Layer”, 第63回応用物理学会春季学術講演会（東京工業大学）、2016年3月19-22日

・Cong Thanh Nguyen, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Chikao Okamoto,Shuichiro Sugiyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, “Effect and Optimization of Chemical Cleaning before Deposition of Cat-CVD Passivation Films to Realize Extremely Low Surface Recombination Velocity on Flat and Textured Structures”, 第63回応用物理学会春季学術講演会（東京工業大学）、2016年3月19-22日

・小山 晃一、山口　昇、田中 美和、鈴木 英夫、大平 圭介、松村 英樹、“a-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池のa-Si層へのプラズマドーピング”、第63回応用物理学会春季学術講演会（東京工業大学）、2016年3月19-22日

・瀬戸 純一、大平 圭介、松村 英樹、“a-Siパッシベーション膜へのCat-dopingによる結晶Siの少数キャリヤ寿命の変化”、第63回応用物理学会春季学術講演会（東京工業大学）、2016年3月19-22日

・瀬戸 純一、大平 圭介、松村 英樹, "PのCat dopingを施したa-Si膜に対する活性化アニール", 第76回応用物理学会秋季学術講演会（名古屋国際会議場）、2015年9月13-16日.

・ 瀬戸 純一、大平 圭介、松村 英樹、「Cat-doping法によるa-Si膜への低温ドーピング」、第62回応用物理学会春季学術講演会（東海大学）、2015年3月11-14日

・Cham Trinh, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura、「Defect termination at the interfaces of Cat-CVD SiNx/c-Si and SiNx/P Cat-doped layer/c-Si structures」、第62回応用物理学会春季学術講演会（東海大学）、2015年3月11-14日

・及川 貴史、大平 圭介、東嶺 孝一、松村 英樹、「Si(111)およびSi(100)におけるCat-CVD a-Si/c-Siヘテロ接合界面の極薄酸化膜形成による品質改善」、第62回応用物理学会春季学術講演会（東海大学）、2015年3月11-14日

・小山 晃一、寺嶋 茂樹、大平 圭介、松村 英樹、「低界面再結合速度を実現するCat-CVD SiNx/a-Si積層保護膜の光学特性」、第62回応用物理学会春季学術講演会（東海大学）、2015年3月11-14日

・寺嶋 茂樹、小山 晃一、大平 圭介、松村 英樹、「低表面再結合速度を実現したCat-CVD SiNx/a-Si積層膜の化学耐性」、第62回応用物理学会春季学術講演会（東海大学）、2015年3月11-14日

・Cham Thi Trinh, Koyama Koichi, Ohdaira Keisuke, Matsumura Hideki、「A Low Surface Recombination Velocity Realized on Textured c-Si by Cat-CVD SiNx/P Cat-doped Layers」、第75回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学）、2014年9月17-20日

・及川貴史、大平圭介、松村英樹、「Cat-CVDを用いて作製したa-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池の極薄酸化膜形成による特性改善」、第75回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学）、2014年9月17-20日

・津崎省吾, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹, 「SiNx/a-Si積層パッシベーション膜の結晶シリコン太陽電池応用」, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大, 2013年9月16-20日

・Cham Thi Trinh，Koyama Koichi，Ohdaira Keisuke，Matsumura Hideki, "Passivation Quality of A SiNx Single Passivation Layer on Crystalline-Si Prepared by Cat-CVD" 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大, 2013年3月27-30日

・Trinh Cham Thi, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura，「Surface passivation of crystalline silicon by SiNx/Si-rich SiNx stacked layers」，第73回応用物理学会学術講演会，松山市，2012年9月11-14日

・太田立教、小山晃一、大平圭介、松村 英樹，「Cat-CVD装置を用いたSiへの B原子のドーピング」，第73回応用物理学会学術講演会，松山市，2012年9月11-14日

・後藤太樹、小山晃一、大平圭介、松村英樹，「a-Si, SiNxパッシベーションにおける光劣化および熱回復」，第73回応用物理学会学術講演会，松山市，2012年9月11-14日

・太田立教、中島裕貴、早川太朗、小山晃一、大平圭介、松村英樹, 「Cat-CVD法を用いたSiへのB原子のドーピング」、第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、2012年3月15-18日, 18a-A6-6.

・早川太朗, 中島裕貴, 太田立教, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹, “ラジカル反応でドープしたP 原子の分布とキャリア濃度の関係”, 第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 2012年3月15-18日,16p-GP5-1.

・東嶺孝一，小山晃一，加藤和也，大平圭介，松村英樹，大塚信雄, 「Cat-CVD法で製膜されたa-Si/c-Si界面の走査透過電子顕微鏡観察」,　第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月29日～9月2日, 2a-ZH-9.

・加藤和也，小山晃一，大平圭介，松村英樹, 「Cat-CVD SiNx/a-Si/c-Si積層パッシベーションのSi基板面方位依存性」,　第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月29日～9月2日, 2a-ZH-10.

・小山晃一，東嶺孝一，加藤和也，大平圭介，大塚信雄，松村英樹, 「Cat-CVD法によるSiNx/a-Si積層膜がc-Siに対し 高パッシベーション特性を有する原因の究明」, 第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月29日～9月2日, 2a-ZH-8.

・早川太朗，中島裕貴，小山晃一，大平圭介，松村英樹, 「フォトレジストマスキング法のラジカルドーピングへの適用の試み」, 第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月29日～9月2日, 1p-ZH-14.

・中島裕貴，早川太朗，小山晃一，大平圭介，松村英樹, 「ラジカルを用いて低温ドーピングを行った結晶Siの表面観察」, 第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月29日～9月2日, 1p-ZH-15.

・ 會澤洋太朗，荻田陽一郎，「太陽電池n-Si用アルミナパッシベーション膜の再結合減少の検討」， 第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月29日～9月2日, 2a-ZH-5.

・荻田陽一郎，立原誠之，「太陽電池p-Si用アルミナパッシベーション膜の短時間アニール」， 第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月29日～9月2日, 2a-ZH-6.

・會澤洋太郎，荻田陽一郎，「n-Si用アルミナパッシベーション膜の短時間熱処理」, 第72回応用物理学会学術講演会、山形大学、2011年8月29日～9月2日, 17a-B6-4.

・小山晃一、加藤和也、大平圭介、松村英樹, ” Cat-CVD SiNx/a-Si積層パッシベーションにおけるSiNx膜質の影響”, 25a-BK-2, p.16-063, 第58回(2011年3月)応用物理学関係連合講演会予稿集（第58回応用物理学会講演会自体は東日本大震災のため開催が中止された。）

・早川太朗、中島裕貴、小山晃一、大平圭介、松村英樹, “リン系ラジカルを用いたSiへの低温ドーピング”, 24a-BK-5, p.16-057, 第58回(2011年3月)応用物理学関係連合講演会予稿集

・加藤 和也、小山 晃一、大平 圭介、松村 英樹, “Cat-CVD SiNx/a-Si積層膜のSi(111)面に対するパッシベーション効果”, 25a-BK-3, p. p.16-064, 第58回(2011年3月)応用物理学関係連合講演会予稿集

3-2.　研究会発表

・Huynh Thi Cam Tu, Koichi Koyama, Cong Thanh Nguyen, Shigeki Terashima, Takeo Konishi, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, "Excellent passivation of n-type crystalline Si by SiNx double layers with high chemical resistivity", 第14回Cat-CVD研究会（リーガホテル　ゼスト高松)、2017年7月14-15日

・小山 晃一、大平 圭介、松村 英樹、"Cat-CVD a-Si/c-Siヘテロ接合界面のイオン注入によるHの影響"、第14回Cat-CVD研究会（リーガホテル　ゼスト高松)、2017年7月14-15日

・小西 武雄、大平 圭介、“Cat-CVD法を用いて作製したSiヘテロ接合太陽電池に対するスパッタダメージの影響”、第14回Cat-CVD研究会（リーガホテル　ゼスト高松)、2017年7月14-15日

・Cong Thanh Nguyen, Koichi Koyama, Huynh Thi Cam Tu, Shigeki Terashima, Hideki Matsumura, "A novel formation of low reflectivity sub-micron textures on solar cell crystalline silicon with various thicknesses down to 50 µm", 第14回Cat-CVD研究会（リーガホテル　ゼスト高松)、2017年7月14-15日

・小川 浩二、竹内 幸雄、小山 晃一、松村 英樹、“太陽電池作製実験用の新Cat-CVD装置の特徴”、第14回Cat-CVD研究会（リーガホテル　ゼスト高松)、2017年7月14-15日

・小西 武雄、大平 圭介、“Cat-CVD法で作製したSiヘテロ接合セルに対するスパッタダメージの検討”、日本学術振興会第175委員会、第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（名古屋大学）2017年7月20-21日

・小山 晃一、大平 圭介、松村 英樹、“イオン注入を用いたa-Si/c-Siヘテロ接合界面のHの影響”、日本学術振興会第175委員会、第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（名古屋大学）2017年7月20-21日

・小山 晃一、"Cat-CVD法とイオン注入を用いたヘテロ接合太陽電池の安価な作製法"、日本学術振興会第175委員会・次世代シリコン太陽電池分科会 第5回研究会(北陸先端科学技術大学院大学)、2016年11月7日

・大平　圭介、瀬戸　純一、松村　英樹、"a-Si へのCatドーピングのパッシベーション能力への影響"、第13回Cat-CVD研究会（北見工業大学）、2016年7月8–9日

・小山　晃一、山口　昇、田中　美和、鈴木　英夫、大平　圭介、松村　英樹、"Cat-CVD a-Si膜へのプラズマイオンドーピング"、第13回Cat-CVD研究会（北見工業大学）、2016年7月8–9日

・Huynh Thi Cam Tu, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Cong Thanh Nguyen, Hideki Matsumura, "Phosphorous Cat-doping for Improving Performance of Ultra-thin Thermal-SiOx/Cat-CVD SiNx Stacked Passivation", 第13回Cat-CVD研究会（北見工業大学）、2016年7月8–9日

・及川 貴史、大平 圭介、東嶺 孝一、松村 英樹, "極薄酸化膜形成によるa-Si堆積時のエピタキシャル成長抑止", 第12回Cat-CVD研究会（名古屋大）、2015年7月3-4日

・瀬戸 純一、大平 圭介、松村 英樹, "Cat-doping法を用いたa-Si膜へのBおよびPのドーピング", 第12回Cat-CVD研究会（名古屋大）、2015年7月3-4日

・Trinh Cham Thi, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, and Hideki Matsumura, "Reduction in interface state density at the interfaces of Cat-CVD SiNx/c-Si and SiNx/P Cat-doped layer/c-Si structures", 第12回Cat-CVD研究会（名古屋大）、2015年7月3-4日

・小山 晃一、寺嶋 茂樹、東嶺 孝一、大平 圭介、松村 英樹, "SiNx/a-Si積層パシベーションにおけるCat-CVD法とPECVD法の比較", 第12回Cat-CVD研究会（名古屋大）、2015年7月3-4日

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura、「Passivation Quality for Textured Crystalline Silicon Realized by Low Temperature Phosphorous Cat-Doping and Cat-CVD Silicon- Nitride Passivation Films」、第11回Cat-CVD研究会（東北大学）、2014年7月11-12日

・及川貴史、大平圭介、松村英樹、「Cat-CVD a-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池の極薄酸化膜形成による品質改善の検討」、第11回Cat-CVD研究会（東北大学）、2014年7月11-12日

・寺嶋茂樹、東嶺孝一、小山晃一、大平圭介、松村英樹、「低表面再結合を実現したCat-CVD SiNx/a-Si積層膜中a-Siの光吸収」、第11回Cat-CVD研究会（東北大学）、2014年7月11-12日

・松村英樹、大平圭介、小山晃一、Trinh Thi Cham、津崎省吾、寺嶋茂樹、「新しい低温不純物ドーピング法「Cat-doping」の太陽電池への応用」、第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（宮崎観光ホテル）、2014年7月3-4日

・Trinh Cham Thi, K. Koyama, K. Ohdaira, and H. Matsumura, "Reduction of surface recombination velocity of crystalline Silicon by Low Temperature Phosphorus Cat-Doping and Cat-CVD SiNx Film deposition", 第10回Cat-CVD研究会, 岐阜, 2013年7月5-6日

・Trinh Cham Thi, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura, "Passivation Quality of A SiNx Single Passivation Layer on Crystalline-Si Prepared by Cat-CVD", 日本学術振興会第175委員会 第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 石川県立音楽堂, 2013年5月23-24日 （イノベイティブPV奨励賞を受賞）

・津﨑省吾, 太田立教, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹, "ヘテロ接合ダイオードへの低温ドーピング技術導入の検討", 日本学術振興会第175委員会 第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 石川県立音楽堂, 2013年5月23-24日

・小山晃一, 後藤太樹, 大平圭介, 松村英樹, "低表面再結合速度を実現するCat-CVDSiNx/a-Si積層パシベーション膜の光・温度・湿度耐性の評価", 日本学術振興会第175委員会 第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 石川県立音楽堂, 2013年5月23-24日

・津﨑省吾, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹, "Cat-CVD SiNx/a-Si積層パッシベーション膜の結晶Si太陽電池応用", 第10回Cat-CVD研究会, 岐阜, 2013年7月5-6日

・小山晃一, 東嶺孝, 加藤和也, 大平圭介, 大塚信雄, 松村英樹, "Cat-CVD技術を用いた表面再結合速度1.5 cm/s 以下のパッシベーション", 日本学術振興会第175委員会　第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 岐阜, 2011年6月30日～7月1日, p294.

・早川太朗, 中島裕貴, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹, “触媒反応で生成されたラジカルを用いた不純物低温ドープ”, 日本学術振興会第175委員会　第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 岐阜, 2011年6月30日～7月1日, p278.

・太田立教、小山晃一、大平圭介、松村英樹、「Cat-CVD装置を用いたSiへのB原子のドーピング」，第9回Cat-CVD研究会，日本大学津田沼キャンパス，2012年6月22-23日

・ 後藤太樹、小山晃一、大平圭介、松村英樹，「a-Si/SiNxパッシベーションにおける光劣化」，第9回Cat-CVD研究会，日本大学津田沼キャンパス，2012年6月22-23日

・小山晃一、東嶺孝一、大平圭介、大塚信雄、松村英樹，「Cat-CVD SiNx/a-Si積層膜がc-Siに対する 高品質界面特性を有する原因の究明＜その2＞」，第9回Cat-CVD研究会，日本大学津田沼キャンパス，2012年6月22-23日

・ 小山晃一、東嶺孝一、加藤和也、大平圭介、大塚信雄、松村英樹, 「Cat-CVD SiNx/a-Si積層膜がc-Siに対する高品質界面特性を有する原因の究明」, 第8回Cat-CVD研究会、金沢工業大学、2011年6月17日～18日, p33.

・ 加藤和也、小山晃一、大平圭介、松村英樹, 「Cat-CVD SiNx/a-Si積層膜のSi(111)面に対する表面再結合抑制効果」, 第8回Cat-CVD研究会、金沢工業大学、2011年6月17日～18日, p35.

・ 早川太朗、中島裕貴、小山晃一、大平圭介、松村英樹, 「リン酸ラジカルを用いた低温ドーピング」, 第8回Cat-CVD研究会、金沢工業大学、2011年６月17日～18日, p37.

・中島裕貴、早川太朗、小山晃一、大平圭介、松村英樹, 「触媒分解により生成したラジカルを用いた結晶シリコンへの低温ドーピング」, 第8回Cat-CVD研究会、金沢工業大学、2011年6月17日～18日, p39.

3-3.　国内学会・研究会　招待講演

・ 松村英樹、”Cat-CVD技術の現状とこれからの展開”、第13回Cat-CVD研究会（北見工業大学）、2016年7月8–9日

・松村英樹, Trinh Cham Thi, 津﨑省吾, 小山晃一, 大平圭介, "新しい低温不純物ドーピング技術「Cat-doping」技術の展開", 第11回Cat-CVD研究会（東北大学）, 2014年7月11-12日

・松村英樹, 小山晃一, 東嶺孝一, Trinh Thi Cham, 大平圭介, "Cat-CVD法による最大表面再結合速度 2 cm/s 以下の透明パシベーション膜低温形成", 第61回応用物理学会春季学術講演会（青山学院大）, 2014年3月17-20日

・松村英樹，小山晃一，東嶺孝一，大塚信雄，「Cat-CVD法など新手法による太陽電池の高効率化」，第72回応用物理学会学術講演会シンポジウム「太陽電池技術の最近の動向」，山形大学，2011年8月29日, 29P-M-3.

・松村英樹、「Cat-CVD法による高効率シリコン太陽電池の開発」、平成23年度日本真空協会11月定例研究会「太陽電池における革新技術の開発動向と将来展望」, しいのき迎賓館、金沢市、2011年11月25日、予稿集、pp.1-5.