ここではメモリセルサイズが小さくてすむという、最も有望視されているFET型のものについて説明します。

この構造は普通の MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)-FET とほとんど変わらないのですが、唯一、ゲート絶縁膜に強誘電体薄膜を用いている点がＭＯＳ−ＦＥＴと異なる点です。

ＭＯＳ−ＦＥＴは、ゲートに電圧を印加していくと、 閾値電圧と呼ばれるある電圧で電流が流れ出すという 動作特性を持っています。そして、この電圧を境目に トランジスターは ON/OFFします。

MFS (Metal-Ferroelectric-Semiconductor)-FET は、 強誘電体のヒステリシス特性の影響で、この様に ヒステリシスを持った動作特性になります。 ON/OFFの情報は、 あるゲート電圧のドレイン電流の大小で判定します。 また、電源を切っても、残留分極により状態は保持されます。