メンバー

prof. Tokumitsu

教授徳光永輔
先端科学技術研究科マテリアルサイエンス系応用物理学領域　研究者紹介
メールアドレス：e-toku「at」jaist.ac.jp 　（「at」を半角のアットマークに変更してください。）1982　工学学士　東京工業大学
1984　工学修士　東京工業大学
1987　工学博士　東京工業大学
1987　東京工業大学　助手
1988　AT&T ベル研究所研究員
1990　東京工業大学　助手
1992　東京工業大学精密工学研究所　助教授
2011　北陸先端科学技術大学院大学　教授[専門]
電子デバイス：　薄膜トランジスタ (TFT)・強誘電体不揮発メモリ・SiCパワーデバイス
電子材料　：　酸化物・強誘電体・SiC・化合物半導体など
作製プロセス：　溶液プロセス・ナノインプリント・真空プロセス担当講義：デバイス物理特論 (2-2期集中講義)Eisuke Tokumitsu
Professor, Applied Physics Area, School of Materials Science　Faculty Profile

研究員 (Researcher)

修士課程学生 (Master Course Students)
＜M1＞
徐　康　（XU, Kang)

2022年度 (令和4年度) 卒業生

橋口　渉 (修士)　「化学溶液堆積法によるHf-Zr-O膜へのドーピングと強誘電性に関する研究」

久保田　剛郎 (修士)　「化学溶液堆積法による酸化物半導体薄膜の形成と強誘電体ゲート薄膜トランジスタへの応用」

2021年度 (令和3年度) 卒業生
佐々木　啓介　(修士)　「化学溶液堆積法によるYドープHf-Zr-O薄膜の作製と評価」

斎藤　瑞　(修士)　「酸素吸着層を用いたHf-Zr-O膜の結晶相制御と強誘電特性の改善」

原　佑樹　(修士)　「スパッタ法により形成したHf-Zr-O薄膜の強誘電性の安定性とデバイス応用に関する研究」

2020年度 (令和2年度) 卒業生
MOHIT　(博士)　”Investigation of Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Transistor using Yttrium Doped Hafnium- Zirconium Oxide Fabricated by Solution Process”

2019年度 (平成31年度) 卒業生
JAIN, Puneet　(博士)　”Investigation of In₂O₃-based Oxide Films by Direct Imprinting for TFT Application”
古市知己（修士）「酸化物半導体In₂O₃／強誘電体Hf-Zr-O積層構造の形成とデバイス応用に関する研究」
小林祐貴（修士）「WS2薄膜の溶液プロセスによる塗布特性改善に関する研究」

2018年度 (平成30年度) 卒業生
Karim M. Mesbahul　(修士)　”Investigation of Ferroelectricity in Sputtered Y-doped HfO₂ Thin Films”
蘇　暢 (Su Chang)　(修士)　「溶液プロセス法による導電性酸化物の薄膜形成におけるインプリントの影響」
中嶋崇博　(修士)　「溶液プロセスによる2次元層状半導体WS₂膜の形成と評価」

2017年度 (平成29年度) 卒業生
堂安豪　　(修士)　”スパッタ法によるZnOバッファ層を用いた単一配向HfO₂/ITO構造の形成とデバイス応用”

2016年度 (平成28年度) 卒業生
金　胄男　(博士)　”Investigation of solution process of molybdenum disulfide for thin film transistor applications”
神谷祐輔　(修士)　「ナノレオロジープリンティングを用いた薄膜トランジスタの新規作製プロセスに関する研究」
森山卓哉　(修士)　「溶液プロセスを用いたHfO₂:Y薄膜の作製と強誘電性発現に関する研究」

2015年度 (平成27年度) 卒業生
尾方将剛　(修士)　「溶液プロセスによる高誘電率酸化物薄膜の形成に関する研究」
加藤卓磨　(修士)　「酸化物半導体の低抵抗化処理に関する研究」