実験装置Equipment
処理、測定などを御希望の方は、お気軽にお問い合わせください。
製膜·処理装置
フラッシュランプアニール装置テクノリサーチ（キセノンランプはオーク製作所）
キセノンランプからの瞬間放電光により、 ミリ秒台の熱処理が可能です。照射強度10 J/cm2以上、パルス時間1–10 msのパルス光照射が行えます。 Si膜の結晶化など、短時間熱処理に利用できます。処理面積は、2cm角です。
太陽電池用Cat-CVD装置デザインシステム
ロードロック、n型a-Si用、p型a-Si用、ノンドープa-Si用、SiNx用、AlOx用の全6チャンバーからなる大型装置です。
156mm角の基板への製膜も可能です。
結晶Siの表面パッシベーション膜堆積、Siヘテロ太陽接合電池作製などに利用しています。
Si系薄膜堆積用Cat-CVD装置石川製作所
最大8インチサイズの基板への製膜が可能な、大型Cat-CVD装置です。
チャンバーは2つあり、SiNx膜堆積とa-Si膜堆積に使用しています。
縦型Cat-CVD装置VICインターナショナル
量産Cat-CVD装置を模した、基板を垂直に設置して製膜を行うCat-CVD装置です。
156mm角の基板への製膜も可能です。
パッシベーション膜用Cat-CVD装置キヤノンアネルバ
3チャンバーのフェイスダウン（デポアップ）の装置で、ノンドープa-Si膜、ドーピングa-Si膜、SiNx膜の製膜が可能です。
主に結晶Siのパッシベーション膜堆積用に使用しています。
真空蒸着装置昭和真空、SNC-06D
ボートに設置した材料を通電加熱により蒸発させて製膜します。
アルミニウムなど金属膜の製膜に使用しています。
EB蒸着装置キヤノンアネルバ、L-300E-TL
るつぼ内の材料を電子線により蒸発させ、製膜を行います。
融点の高いSiなどの製膜に利用しています。
スクリーン印刷機マイクロ·テック、MT-320
スクリーンマスクを通してスキージでペーストを押し出し、印刷を行う装置です。
太陽電池の電極印刷に使用します。
横型管状炉光洋サーモシステム、KTF773N1
汎用の管状炉です。
太陽電池の拡散層形成や電極焼成に使用します。
RTA装置アルバックテクノ、MILA-5000
2cm角の試料に処理可能なRTA装置です。
太陽電池プロセスに使用します。
モジュールラミネーターNPC, LM-50X50-S
量産サイズの太陽電池モジュールの作製も可能なラミネーターです。
小型モジュールラミネーターデザインシステム
小型太陽電池モジュールの作製が可能なラミネーターです。
最大18cm角のモジュールを作製できます。
評価装置
フーリエ変換赤外分光光度計島津製作所、IRAffinity-1S
入射赤外光の吸収を測定することで、薄膜中の結合構造や量の解析を行います。
Cat-CVDなどで形成した薄膜の評価に使用します。
顕微ラマン分光Renishaw, RamaScope
入射光からフォノンのエネルギー分ずれた散乱光（ラマン散乱光）の観測を行います。
対物レンズを利用して入射光および散乱光を集光しているため、局所的な物性評価も可能です。
Si膜の結晶化度の確認や、a-Si膜の秩序性の解析に活用しています。
電子スピン共鳴JEOL, JES-FA100
磁場下における不対電子でのマイクロ波の共鳴吸収を利用して、未結合手密度などの観測を行います。
Si膜中の欠陥密度の定量化などに活用しています。
紫外・可視・近赤外分光光度計島津製作所、UV-3150
紫外から近赤外までの波長範囲における、薄膜試料の光透過率、反射率、ヘイズ率の測定が可能です。
レーザー誘起電流(LBIC)測定装置中央精機・アトシステム
太陽電池に対し、集光したレーザー光を照射しながらX-Yステージで移動させることで、デバイスの発電特性の面内分布の計測が可能です。
波長470 nm、653 nm、904 nmの3種類のレーザーを搭載しています。
エレクトロルミネッセンス(EL)測定装置浜松ホトニクス、C4742-98
太陽電池セルまたはモジュールにバイアスを印加した際の発光を画像として撮影します。
太陽電池の面内の特性分布評価が可能です。
ソーラーシミュレータ、分光感度・内部量子効率測定装置分光計器、CEP-25
疑似太陽光下での太陽電池の電流-電圧測定が可能です。
また、波長ごとのキャリアの収拾効率を意味する、量子効率の測定も行えます。
作製した太陽電池の特性評価に用います。
擬定常状態光伝導度測定装置 (QSSPC)Sinton, WCT-120
疑似的な定常状態とみなせる長パルス光照射中の試料の導電率を測定することで、余剰キャリア密度に依存した少数キャリア寿命の測定を行えます。
パッシベーション能力の定量化に用いています。
Suns-Voc測定装置Sinton, Suns-Voc
長パルス光照射中の太陽電池の開放電圧を計測することで、疑似的な電流-電圧測定の測定が行えます。
回路に電流が流れないため、直列抵抗の影響の無い電流-電圧特性の評価が行え、また、評価に用いるデバイス構造も簡略化できます。
反射マイクロ波光導電減衰測定装置 (µ-PCD)コベルコ科研、LTA-1510EP（特型）
マイクロ波の反射強度の時間変化により、短パルス光照射により生成した結晶Si内の余剰キャリアの再結合を観測し、少数キャリア寿命を定量化できる装置です。
波長904 nm、349 nmの2つのレーザーを搭載しています。
また、差動µ-PCD機構を搭載しており、薄膜試料でも感度の良い測定が可能です。
分光エリプソメトリーJ. A. Woolam Japan, WVASE32
試料に対して浅い角度で入射した光の反射光におけるs偏光成分とp偏光成分の位相差および強度比から、モデルフィッティングにより試料の膜厚、屈折率、誘電関数などを得る手法です。
薄膜の膜厚同定や、屈折率の評価などに活用しています。
単色エリプソメトリーULVAC, ESM-1A
原理は分光エリプソメトリーと同様で、試料の膜厚を簡便に求める際に便利です。
He-Neレーザー（波長632.8 nm）を使用します。
単色エリプソメトリーGaertner Scientific Corporation, L115-E
He-Neレーザー（波長632.8 nm）を用いた単色エリプソメトリーです。
マッピング機能を備えており、薄膜の膜厚および屈折率分布の評価に適しています。
微分干渉顕微鏡Olympus, BX51
二つの偏光の光路差を利用して、試料の高さの変化を像に反映させることができる光学顕微鏡です。
薄膜試料表面の簡便な観察に用います。
半導体パラメーターアナライザーHewlett Packard, 4156A
半導体膜や導電膜、電子デバイスの電流-電圧特性などの評価に用います。
水銀プローブMaterials Development Corporation, 802B-150
半導体試料に表面電極を形成することなく
C-V測定を行うことが可能な装置です。
PID試験器テクノリサーチ
モジュールを作製することなく太陽電池セルのPID試験が可能な装置です。
電圧誘起劣化(PID)試験後のセルの表面分析ができ、PIDの原理解明につながります。