主要設備一覧
集束イオンビーム加工装置・FIB
(SIIナノテク SMI3050)
【特徴】
分解能 4 nm@30kV による高品位なSIM像を取得できます。SEMでは捕らえにくい金属・結晶粒のチャネリングコントラスト像も取得可能です。また、高分解能観察を可能とするFIBカラムでは高精度の加工も実現します。本装置は、低加速FIB加工により、試料に対するダメージを最小限にとどめた加工が可能です。TEM試料作成などに代表されるアプリケーションにおいて、大きな効果を発揮します。
【仕様】
試料サイズ | 最大 50 mmφ、12 mm厚 |
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試料ステージ | 5軸ユーセントリックチルトステージ |
加速電圧 | 5 - 30 kV |
2次電子分解能 | 4 nm@30 kV |
最大電流 | 20 nA |
最大電流密度 | 30 A/cm2 |
【設置場所】
ナノマテリアルテクノロジーセンター2階