Gallery
Transparent nonvolatile ferroelectric-gate TFTs
石英ガラスの上に作製した透明な強誘電体ゲート薄膜トランジスタの写真です。
トランジスタの材料は、２種類の酸化物のみで構成されています。
・ゲート電極： ITO (インジウムスズ酸化物 In2O3:Sn)
・ゲート絶縁膜： Bi3.35La0.75Ti3O12 (BLT)
・チャネル： ITO
・ソース/ドレイン電極： ITO
ゲート絶縁膜に強誘電体材料 BLT を用いているため、
トランジスタであると同時に不揮発性のメモリ素子としても動作します。
Related Posts
