徳光研究室

2022

論文 (Refereed Journal Articles)

  1. “Electrical properties of ferroelectric Y-doped Hf-Zr-O thin films prepared by chemical solution deposition”
    Keisuke Sasaki, Mohit, Sho Hashiguchi and Eisuke Tokumitsu,
    Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 61, SN1027 (2022)
    論文 (Article)
  2. “Variable-area capacitors controlled by HfO2-based ferroelectric-gate field-effect-transistors”
    Takaaki Miyasako, Shingo Yoneda, Tadasu Hosokura, Masahiko Kimura, and Eisuke Tokumitsu,
    Applied Physics Letters, Vol. 120, 262901 (2022)
    論文 (Article)
  3. “Fabrication of Ferroelectric Gate Thin-Film Transistors with a Lanthanum-Doped HZO Gate Insulartor and Indium-Tin-Oxide Channel via a Solution Process”
    Mohit, Tatsuya Murakami, and Eisuke Tokumitsu,
    Physica Status Solidi, RRL, Vol. 2022, 2100581 (2022)
    論文 (Article)
  4. “Enhancement of ferroelectricity in sputtered HZO thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment”
    Mohit, Yuli Wen, Yuki Hara, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Keisuke Ohdaira, and Eisuke Tokumitsu,
    Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 61, SH1004 (2022)
    論文 (Article)

国際学会 (International Conference)

  1. “Ferroelectric gate thin films transistors with Y-doped Hf-Zr-O gate insulator and In-Sn-O channel” (Invited)
    E. Tokumitsu, Y. Kubota, Mohit, K. Sasaki,
    14th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applicatiopns (JCFMA-14), Dec.8-9, 2022, Kanazawa, Japan
  2. “ITO Channel Thin Film Transistor using Solution-Derived Ferroelectric Hf-Zr-O Gate Insulator”(Invited)
    Eisuke Tokumitsu,
    13th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics, Sept. 25-28, 2022, Busan&Online
  3. “HfO2-based ferroelectric-gated variable-area capacitors”
    Takaaki Miyasako, Shingo Yoneda, Tadasu Hoisokura, Masahiko Kimura, Eisuke Tokumitsu,
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, September 26-29, 2022, Chiba

国内学会 (Domestic Conference)

  1. “溶液プロセスによるIn-Sn-O（ITO）薄膜の形成と強誘電体ゲート薄膜トランジスタへの応用”
    久保田剛郎、徳光永輔,
    第19回薄膜材料デバイス研究会、2022年11月17日～18日、龍谷大学響都ホール校友会館（京都市） (Oral)
  2. “化学溶液堆積法によるHf-Zr-O膜へのドーピングと強誘電性評価”
    橋口　渉、徳光永輔,
    第19回薄膜材料デバイス研究会、2022年11月17日～18日、龍谷大学響都ホール校友会館（京都市）(Poster)
  3. “溶液プロセスによる薄膜CeOx/(Hf,Zr)O2/CeOx積層構造の形成”
    齋藤　瑞、モヒート、東嶺　孝一、徳光　永輔,
    日本ゾルゲル学会第20回討論会、2022年7月14日～15日、慶應大学日吉キャンパス (Poster)
  4. “原子状水素処理を用いたスパッタHf-Zr-O膜の強誘電特性改善”(招待講演）
    徳光 永輔、モヒート、文 昱力、原 佑樹、右田 真司、太田 裕之、森田 行則、大平 圭介,
    第19回Cat-CVD研究会、2022年7月14日～15日、産総研九州センター
  5. “Yドープ Hf-Zr-O 薄膜の化学溶液堆積における仮焼成の効果”
    佐々木啓介、モヒート、徳光永輔,
    第39回強誘電体会議、2022年6月１日～4日、京都工芸繊維大学