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Posted on 2023-04-122022年8月 論文が出版されました。
2022年修士修了の佐々木君の成果が論文になりました。溶液プロセスでYドープHf-Zr-O薄膜を形成し、強誘電性が発現する条件を検討した内容です。特に減圧下で400℃の仮焼成を行うことにより、強誘電性を示す直方晶が形成されやすくなることを報告しています。
Posted on 2022-05-062022年4月 論文が掲載されました。
研究員のMohitさんを第一著者とする論文が掲載されました。これは本学大平研および産総研との共同研究です。Wenさん（大平研D2）の副テーマ研究を発展させた成果です。スパッタ堆積したHf-Zr-O膜に原子状水素を照射してから結晶化することで非常に綺麗な強誘電体ヒステリシス特性が得られています。
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac5a95
Posted on 2022-05-062022年3月 学位記授与式
2022年3月24日に本学の学位記授与式がありました。佐々木 啓介君、原 佑樹君、齋藤 瑞君が卒業です。おめでとうございます。就職先でも頑張ってください。
Posted on 2022-05-062022年2月修論発表会が終了しました。
令和3年度の修士論文発表会がありました。佐々木 啓介君、原 佑樹君、齋藤 瑞君が発表しました。ご苦労さまでした。
Posted on 2021-08-112021年8月 JJAPに論文が掲載されました。
当研究室の論文がJpn. J. Appl. Phys.に掲載されました。産総研との共同研究の成果です。スパッタ法で堆積したHf-Zr-O（HZO）膜を減圧下で結晶化することで、良好な強誘電性（角形性のよいP-Eヒステリシス!）が得られています。HfO2系材料において強誘電性を示す直方晶は準安定相で、その安定化がデバイス応用のためには必要です。今回スパッタ法で室温堆積したHZO膜を減圧下で結晶化することで強誘電相の安定性も改善することが分かりました。ITOをチャネルとしたボトムゲート型薄膜トランジスタの試作も行っています。詳細は業績の2021フォルダの論文リンクをご参照ください。
JJAP2021-3
Posted on 2021-05-062021年5月 受験生のためのオープンキャンパスのお知らせ
2021年5月22日（土）に受験生のためのオープンキャンパスがオンラインで開催されます。研究施設や学生寄宿舎の紹介の他、各教員とのオンライン面談ができます。本学への進学を考えている方はぜひこの機会を利用してください。参加申し込みが必要です。
半導体デバイスや材料にご興味のある方には、当研究室を指定していただければ、最近の研究内容や成果などをご紹介します。
詳細は大学のHPをご覧ください。
Posted on 2021-04-202021年4月 研究室見学について
2021年4月入学の方へ
研究室見学を受け付けています。半導体デバイス、材料、強誘電体などに興味がある方はぜひ！ 徳光までメール（e-toku、アットマーク以下大学のドメイン名）をください。
Posted on 2021-03-232021年3月 APEXにレター論文が掲載されました。
Mohitさんの研究成果がAPEXに掲載されました。HfO2系薄膜で強誘電性を得るためにはアニール条件を適切に設定して直方晶を形成する必要があります。しかしこの直方晶は準安定相です。本論文では、スパッタ法で形成したHf-Zr-O（HZO)膜と溶液プロセスで形成したYドープHZO膜における強誘電性の安定性について比較検討しています。詳細は業績の2021フォルダの論文リンクをご参照ください。
Posted on 2021-03-232021年3月 Mohitさんが応用物理学会で発表しました。
当研究室博士後期課程学生のMohitさんが、第68回応用物理学会春季学術講演会で研究成果を発表しました。
Posted on 2021-03-102021年2月 Mohitさん公聴会
博士後期課程学生のMohitさんの公聴会が2021年2月3日（水）に実施されました。
