徳光研究室

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フレキシブルメモリ (flexible nonvolatile memory TFT)

プラスティック基板上へ形成したフレキシブルな強誘電体ゲート薄膜トランジスタ (FeTFT) の写真です。ゲート絶縁膜には有機強誘電体のP(VDF-TrFE)、チャネルには酸化物半導体の IGZO (InGaZnO4) を用いています。良好なトランジスタ動作と不揮発性メモリ機能を確認しています。透明で曲がる不揮発性メモリ！

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Posted on 2014-04-03 ｜ Posted in Gallery | Comments Closed

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