2021年8月 JJAPに論文が掲載されました。

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2021年8月 JJAPに論文が掲載されました。

当研究室の論文がJpn. J. Appl. Phys.に掲載されました。産総研との共同研究の成果です。スパッタ法で堆積したHf-Zr-O（HZO）膜を減圧下で結晶化することで、良好な強誘電性（角形性のよいP-Eヒステリシス!）が得られています。HfO₂系材料において強誘電性を示す直方晶は準安定相で、その安定化がデバイス応用のためには必要です。今回スパッタ法で室温堆積したHZO膜を減圧下で結晶化することで強誘電相の安定性も改善することが分かりました。ITOをチャネルとしたボトムゲート型薄膜トランジスタの試作も行っています。詳細は業績の2021フォルダの論文リンクをご参照ください。