「第8回Cat-CVD研究会のご案内」
http://www2.kanazawa-it.ac.jp/horibe/8th-cat-cvd.htm
第6回Cat-CVD研究会
主催：第6回Cat-CVD研究会実行委員会
協賛：応用物理学会、電子情報通信学会、日本表面科学会、日本真空協会
協賛広告企業： 株式会社ユニバーサルシステムズ、 東京エレクトロン株式会社、株式会社アルバック、
株式会社マテリアルデザインファクトリー、マイクロプロセス株式会社、丸文株式会社、
気相成長株式会社、株式会社マツボー、株式会社勝木太郎助商店、
有限会社アトシステム、宇野酸素株式会社
| おかげさまをもちまして、第6回Cat-CVD研究会は、盛会にて終了いたしました。 多くのご参加、ご協力を賜りまして、誠にありがとうございました。 なお、講演会の予稿集が、若干部数残っております。 1冊3,000円にて販売いたしますので、もしご希望がございましたら、 下記までお問い合わせをいただけましたら幸いに存じます。 |
| 〒923-1292 石川県能美市旭台1-1 北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科 松村研究室 助教 大平 圭介 Tel/FAX: 0761-51-1563/1149 E-mail: ohdaira＠jaist.ac.jp (迷惑メール対策のため＠を全角にしています。) |
触媒化学気相堆積(Cat-CVD, Hot-wire CVD)法は、加熱した触媒体線による原料ガスの分解を利用した薄膜形成法であり、その高い生産性や、プラズマ損傷のない製膜機構などが注目され、各種応用を見据えた量産技術として発展を続けています。また、その適用範囲も、アモルファスシリコンや窒化シリコンなどのシリコン系薄膜のみならず、テフロン膜などの有機薄膜や、高濃度ラジカルを用いた材料改質などにも広がりを見せています。Cat-CVD研究会は、これら最新の研究開発状況に加え、原料ガスの分解機構、触媒体材料探索、堆積膜の基礎物性など、本技術の根幹の科学についても、深く、幅広く議論する場として、2004年から年1回開催されています。Cat-CVD技術の理解を深めつつ、広く情報交換を行う場としてご活用いただけましたら幸いに存じます。多くの方々のご参加をお待ちしております。
第6回Cat-CVD研究会実行委員長 松村英樹
1. 期日：
2009年6月19日（金） 13時30分〜20日（土） 16時30分 プログラム
2. 会場：
研究会： 石川県立音楽堂 交流ホール
石川県金沢市昭和町20-1
（金沢駅東口 徒歩1分）
※新型インフルエンザ対策について
会場内の各所に消毒液を設置いたしますので、
入退場の際など、こまめに手指の消毒をお願い致します。
懇親会： ＡＮＡクラウンプラザホテル金沢
石川県金沢市昭和町16-3
（石川県立音楽堂に隣接）
交通案内：
飛行機をご利用の方：小松空港(羽田空港より1時間程度)より小松空港連絡バスをご利用ください。
JRをご利用の方：特急サンダーバード、雷鳥、しらさぎをご利用ください。
3. 内容：
以下のCat-CVD技術についての基礎から応用まで幅広く議論します。
(1) ガスの分解過程、気相反応、触媒体材料
(2) Cat-CVD、Hot-Wire装置開発
(3) 堆積膜の基礎物性および評価
(4) ラジカル処理
(5) デバイス応用
(6) 新分野・新展開 など
4. 発表形式：
口頭発表、及びポスター発表（発表時間未定）です。口頭発表かポスター発表かは、プログラム編成委員会に一任下さい。
5. 講演予稿形式：
A4サイズで2ページもしくは4ページの原稿(pdfファイル)を電子メールにて期日までに下記メールアドレスまでお送り願います。
6． 参加講演申込方法：
電子メールにて以下の情報をご記入の上、事務局宛にお申し込み下さい。
事務局 〒923-1292 石川県能美市旭台1-1
北陸先端科学技術大学院大学
マテリアルサイエンス研究科 大平 圭介
Tel: 0761-51-1563
e-mail: ohdaira@jaist.ac.jp
(1) 氏名（ふりがな）
(2) 所属
(3) 連絡先（〒付記）Tel / Fax / E-mail
【以下講演者のみ】
(4) 講演題目
(5) 発表者（講演者には名前の前に〇印）
7. 参加費用：
一般：20,000円
（研究会資料代、懇親会費を含む）
協賛学協会員：15,000円
（研究会資料代、懇親会費を含む）
学生:
3,000円（研究会資料代のみ、懇親会費は現地払い）
8. 参加費支払方法：
以下の口座にお振込み願います。
北國銀行 鶴来支店（ツルギシテン）
普通口座 385262
口座名義 ｷﾔﾂﾄｼｰﾌﾞｲﾃﾞｰｹﾝｷﾕｳｶｲ （Cat-CVD研究会）
9. 参加申込締切日：
講演申込：2009年5月15日（金） (締め切りました。)
講演予稿：2009年5月22日（金） 必着
参加申込・参加費振込：2009年6月12日（金）
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6月19日（金） |
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| 13:30-13:40 | オープニング 司会：大平圭介（北陸先端科学技術大学院大学） |
| キーノートトーク | 座長：荻田陽一郎（神奈川工科大学） |
| 13:40-14:10 | Cat-CVD技術の最近の展開（招待講演） |
| ○松村英樹（北陸先端科学技術大学院大学） | |
| 分解過程、気相解析 | 座長：荻田陽一郎（神奈川工科大学） |
| 14:10-14:40 | 化学気相堆積過程における並進、回転、振動励起種の発生とその緩和過程（招待講演） |
| ○梅本宏信（静岡大学） | |
| 14:40-14:55 | CFD法によるホットワイヤCVD反応炉中のガス流体解析 |
| 石橋大典 久保田瑶 ○清水耕作（日本大学） | |
| 14:55-15:10 | 水蒸気分子の触媒分解過程における非アレニウス温度依存 |
| ○梅本宏信 草薙弘樹（静岡大学） | |
| Coffee break | |
| SiNx系薄膜 | 座長：部家彰（兵庫県立大学） |
| 15:30-16:00 | 有機・無機ハイブリッド材料を用いた有機EL用超ガスバリヤ封止フィルムの開発（招待講演） |
| ○中山弘1,2 伊藤道弘1（1マテリアルデザインファクトリー, 2大阪市立大学） | |
| 16:00-16:15 | あたらしい絶縁材料としてのSiCNの物性と応用 |
| ○中山弘1,2 伊藤道弘1 福田常男2（1マテリアルデザインファクトリー, 2大阪市立大学） | |
| 16:15-16:30 | 水素添加N2ガスを用いたHW法によるSi表面窒化とSiCN膜の高品質化 |
| ○稲尾治紀 中村郁浩 斉藤康徳 和泉亮（九州工業大学） | |
| 16:30-16:45 | HWCVD法により堆積したSiCN膜の膜厚均一性向上の検討 |
| ○原田力1 生田哲大1 門谷豊2 和泉亮1,2（1九州工業大学, 2トップマコート） | |
| 16:45-17:00 | Cat-CVD法によるHMDSを用いたガスバリア膜の形成 |
| ○小林弘幸 佐々木大樹 大平圭介 松村英樹（北陸先端科学技術大学院大学） | |
| Coffee break | |
| 新材料 | 座長：安井寛治（長岡技術科学大学） |
| 17:20-17:50 | Cat-CVD法によるカーボンナノウォールの作製（招待講演） |
| ○伊藤貴司 伊藤翔平 中西庸介 酒井喬志 島袋誠司 野々村修一（岐阜大学） | |
| 17:50-18:05 | Cat-MOCVD法によるZnO系酸化物半導体結晶成長への展開 |
| ○中村篤志 袴田靖文 小川泰弘 天明二郎（静岡大学） | |
| 18:05-18:20 | Cat-CVD法によるPTFE膜を用いた衣類の撥水加工の研究 |
| ○三代麻衣 高地道久 大平圭介 松村英樹（北陸先端科学技術大学院大学） | |
| 19:00-21:00 | 懇親会 |
| 6月20日（土） | |
| 水素ラジカル処理 | 座長：武山真弓（北見工業大学） |
| 9:00-9:30 | 高密度ラジカル処理の実装プロセスへの適用（招待講演） |
| ○和泉亮（九州工業大学） | |
| 9:30-9:45 | Improvement in Electrical Conductivity of Silver Metal Lines by Exposure to Atomic Hydrogen Generated by Cat-CVD |
| ○Kieu Nguyen 三好孝典 高地道久 大平圭介 下田達也 松村英樹 | |
| 9:45-10:00 | 水素原子による化学増幅型フォトレジスト剥離の試み |
| ○熊野勝文 江刺正喜（東北大学） | |
| 10:00-10:15 | 原子状水素を用いたレジスト除去と基板への影響 |
| ○山本雅史1 丸岡岳志1 堀邊英夫1 梅本宏信2 高尾和久3 加勢正隆4 | |
| （1金沢工業大学, 2静岡大学, 3東京応化工業, 4富士通マイクロエレクトロニクス） | |
| 10:15-10:30 | カーボンナノウォールの成長における基板への水素ラジカル処理の効果 |
| ○伊藤翔平 中西庸介 他田桂一朗 久永優 伊藤貴司 野々村修一（岐阜大学） | |
| 10:30-10:45 | Hot-Meshを用いた水素アニールによるZnO透明導電膜の低抵抗化 |
| ○大島穣1 三浦仁嗣1 片桐裕則2 神保和夫2 黒木雄一郎1 | |
| 増田淳3 高田雅介1 赤羽正志1 安井寛治1 | |
| （1長岡技術科学大学, 2長岡工業高等専門学校, 3産業技術総合研究所） | |
| Coffee break | |
| デバイス応用 | 座長：清水耕作（日本大学） |
| 11:05-11:20 | AHA処理によるペンタセンOTFTの特性向上 -触媒体温度と処理時間依存性- |
| ○部家彰 長谷川裕師 松尾直人（兵庫県立大学） | |
| 11:20-11:35 | Cat-CVD法により生成した水素原子によるSi表面クリーニング |
| ○宮本素明 小山晃一 大平圭介 松村英樹（北陸先端科学技術大学院大学） | |
| 11:35-11:50 | Hot-wire CVD法を用いた太陽電池用SnO2薄膜の作製 |
| ○夏原大宗 有城真 龍山卓司 小島隆志 安藤伸一 吉田憲充 野々村修一（岐阜大学） | |
| 11:50-12:05 | Cat-CVDアルミナ膜MISゲート界面と光導電減衰評価 |
| ○荻田陽一郎（神奈川工科大学） | |
| Lunch | |
| 特別講演 | 座長：松村英樹（北陸先端科学技術大学院大学） |
| 13:30-14:30 | 脚光を浴びる太陽光発電の将来 ―薄膜技術への期待―（※本講演のみ無料聴講可） |
| 桑野幸徳（太陽光発電技術研究組合） | |
| Coffee break | |
| 窒化処理、窒化膜 | 座長：堀邊英夫（金沢工業大学） |
| 14:50-15:05 | N2ガスを用いたホットワイヤー化学気相法による微結晶シリコン薄膜への窒化層形成 |
| ○田畑彰守1 間崎耕司1 近藤明弘2（1名古屋大学, 2岐阜大学） | |
| 15:05-15:20 | ラジカル窒化反応によるZrNx膜の低温作製とその特性 |
| ○佐藤勝1 武山真弓1 早坂祐一郎2 青柳英二2 野矢厚1（1北見工業大学, 2東北大学） | |
| 15:20-15:35 | パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長 |
| ○齋藤健1 永田一樹1 西山洋1 末光眞希2 伊藤隆2 遠藤哲郎3 | |
| 中澤日出樹4 成田克5 高田雅介1 赤羽正志1 安井寛治1 | |
| （1長岡技術科学大学, 2東北大学電気通信研究所, | |
| 3東北大学学際科学国際高等研究センター, 4弘前大学, 5山形大学） | |
| 産学官連携 | 座長：堀邊英夫（金沢工業大学） |
| 15:35-16:05 | Cat-CVDプロジェクトの経緯と成果（招待講演） |
| 松村英樹1 増田淳2 ○桑江良昇3（1北陸先端科学技術大学院大学, 2産業技術総合研究所, 3東芝） | |
| 16:05-16:25 | クロージング 司会：大平圭介（北陸先端科学技術大学院大学） |
11. 特別講演
桑野幸徳氏 （元三洋電機株式会社社長、現太陽光発電技術研究組合理事長）
脚光を浴びる太陽光発電の将来 ―薄膜技術への期待―（※本講演のみ無料聴講可）
実行委員長 松村 英樹 北陸先端科学技術大学院大学 実行委員 赤坂 洋一 大阪大学 浅利 伸 株式会社アルバック 阿部 克也 信州大学 和泉 亮 九州工業大学 牛島 満 東京エレクトロン株式会社 梅本 宏信 静岡大学 大平 圭介 北陸先端科学技術大学院大学 奥 友希 三菱電機株式会社 荻田 陽一郎 神奈川工科大学 越 光男 東京大学 小長井 誠 東京工業大学 近藤 道雄 産業技術総合研究所 清水 耕作 日本大学 武山 真弓 北見工業大学 田畑 彰守 名古屋大学 寺川 朗 三洋電機株式会社 中山 弘 大阪市立大学＆株式会社マテリアルデザインファクトリー 西山 岩男 株式会社半導体先端テクノロジーズ 野々村 修一 岐阜大学 野村 秀夫 住友化学株式会社 部家 彰 兵庫県立大学 堀邊 英夫 金沢工業大学 増田 淳 産業技術総合研究所 町田 英明 東京大学 南 茂平 株式会社石川製作所 安井 寛治 長岡技術科学大学 柳 雄二 三菱重工業株式会社