これは、本研究室で独自に開発した直線偏光YAGレーザによりガラス基板上に溶融結晶化させたシリコン薄膜を用いた、TFT表面のノマルスキー微分干渉光学顕微鏡写真である。Sがソース、Gがゲート、Dがドレイン部の電極である。 チャネル長10μm、チャネル幅20μm、シリコン膜厚45 nm程度で作製したものである。 イオン注入装置、リソグラフィ装置などを駆使して、作ったJAISTオリジナルな電界効果トランジスタである。 但し、ゲート酸化膜は熱酸化により形成しており、それでは、安価なガラス基板では歪むので、今後はそのゲート絶縁膜を、500度以下の低温で作製する予定である。大学独自で、FETをつくることはなかなか出来ず、大学でTFTを作製して、学会に発表している大学は、日本では片手の指もないであろう。
これは、図１の拡大図である。トランジスタの心臓部、チャネル部分の拡 大である。よくよく見ると、ソースやドレイン電極部で制御しきれていない結晶粒 界が存在することがわかる。これら電極部での粒界はそれほど大きな問題で はない。チャネル部に粒界があるか無いかが問題である。この写真からでは、 チャネル部にあるか無いかは見て取れない。
